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半導體硅片電阻率測試儀

半導體硅片電阻率測試儀

  • 產品型號:GEST-201
  • 更新時間:2021-05-14
  • 產品介紹:半導體硅片電阻率測試儀主要通過四探針法測試單晶硅電阻率,具有自動定位的三坐標自動測量系統,可以自由設置測量點數量,自動測試完成,可以對測試出的數據進行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圓電阻率測試儀器。
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產品介紹

全自動晶圓成像電阻率測試儀

產品名稱:全自動晶圓成像電阻率測試儀

產品型號:GEST-201

一、產品概述

本儀器主要通過四探針法測試單晶硅電阻率,具有自動定位的三坐標自動測量系統,可以自由設置測量點數量,自動測試完成,可以對測試出的數據進行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圓電阻率測試儀器。

儀器采用了*電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩定性好、結構緊湊、易操作等特點。

本儀器適用于半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能測試

二、儀器構成:

本儀器主要組成部分有:

1、 高精度電阻率測試儀

2、 三坐標測試移動平臺

3、 測試探頭

4、 上位機軟件測量成像系統

高精度電阻率測量儀:

1、測量范圍

1.1電阻率:0.00001~20000Ω.cm (可擴展)

1.2電導率:0.00005~10000 s/cm;

1.3電阻:0.00001~20000Ω.cm;

2、電壓測量:

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.2分辨力:10μV;

2.3 精度:±0.1% ;

2.4顯示:觸摸屏操作顯示

3、恒流源:

3.1電流輸出:10μA, 100μA, 1mA, 10mA, 100mA, 1A,

3.2電流誤差:±0.5%

3.3各檔連續可調

三坐標測試移動品臺:

1、X軸Y軸移動行程:120MM

2、X軸Y軸*小位移量:0.125MM

3、R軸*小分度值:0.0125°C

四探針測試電極:

1、間距:1±0.01mm;
2、針間絕緣電阻:≥1000MΩ; 
3、機械游移率:≤0.3%;
4、探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;
5、 探針壓力:5~16 牛頓(總力);

上位機軟件測量成像系統

1、 測量方式:弧度測量、角度測量

2、 測量點數:可以設定

3、 測試數據:實時同步顯示

4、 2D成像:測試完成后,可以立體成像

5、 數據導出:可以保存測試數據生成電子版本

 

 

——玻璃纖維和浸漬樹脂之間的界面;——填充料粒與聚合物之間的界面;——芯棒與傘套之間的界面;——傘套的各個部分之間;傘裙之間,或傘套與傘裙之間界面;——傘套、芯棒與金屬附件之間的界面。金屬附件是構成復合絕緣子的一種器件,它與支持結構物、導線、設備的部分或另一•只絕緣子相連接。芯棒和金屬附件之間傳遞負荷的區段。聯接是金屬附件一部分,通過這個部分可以將負荷由外部附件傳遞到復合絕緣子上。起痕是由于在絕緣材料的表面上形成通道并且發展而形成的一種不可逆的劣化現象,這種通道甚至在干燥的條件下也是導電的。起痕可以產生在與空氣相接觸的表面上,也可產生在不同絕緣材料之間的界面上。樹枝狀通道是由材料內部形成的微細通道。

額定機械負荷是在本標準的機械試驗中要用到的由制造廠規定的一種負荷。逐個試驗負荷是在逐個機械試驗(見8.3)期間對所有裝配好的復合絕緣子要施加的負荷。設計試驗旨在驗證設計、材料和制造方法(工藝)是否合適。當一種復合絕緣子進行設計試驗時,其結果應認為對整類復合絕緣子都有效,該類絕緣子由被試的該種絕緣子所代表,——芯棒、傘套材料相同,并且制造方法(工藝)相同;——相同的附件材料、相同的設計和相同的附著方法;——*芯棒上的傘套材料層厚度(包括所采用的傘套)相同或較大;—*高系統電壓與絕緣子長度之比相同或較??;一*所有機械負荷與兩附件間芯棒小直徑之比相同或較??;——*芯棒直徑相同或較大。被測試的復合絕緣子應按圖紙上標有制造公差的所有尺寸進行檢査。

以后,如果復合絕緣子的設計數據變化較小,不超過用“*”號表示的特性值的15%,則設計試驗不需重復。型式試驗用來驗證復合絕緣子的主要特性,這些主要特性取決于其形狀和尺寸。型式試驗對通過了設計試驗的復合絕緣子類型進行。僅當復合絕緣子的型式或材料改變時(見6)該型式試驗才需重復進行。抽樣試驗是為了驗證復合絕緣子其他特性,包括取決于制造質量和所用材料的特性。驗收的絕緣子批中隨機抽取的絕緣子上進行。本試驗用來剔除有制造缺陷的復合絕緣子,它對提交驗收的每個復合絕緣子進行。本試驗由5.5.5.5.5.5和5.6所敘述的6個部分組成。設計試驗僅進行一次,并將結果記錄在試驗報告中,每一部分試驗可以獨立地用合適的新試品進行。

 

 

 

 

半導體硅片電阻率測試儀

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