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產品詳細頁
半絕緣半導體電阻率測量儀

半絕緣半導體電阻率測量儀

  • 產品型號:GEST-201
  • 更新時間:2021-05-19
  • 產品介紹:半絕緣半導體電阻率測量儀主要通過四探針法測試單晶硅電阻率,具有自動定位的三坐標自動測量系統,可以自由設置測量點數量,自動測試完成,可以對測試出的數據進行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圓電阻率測試儀器。
  • 在線留言 010-57223838

產品介紹

產品名稱:全自動晶圓成像電阻率測試儀

一、產品概述

儀器采用了*電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩定性好、結構緊湊、易操作等特點。

二、儀器構成:

1、 高精度電阻率測試儀

3、 測試探頭

高精度電阻率測量儀:

1.1電阻率:0.00001~20000Ω.cm (可擴展)

1.3電阻:0.00001~20000Ω.cm;

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度:±0.1% ;

3、恒流源:

3.2電流誤差:±0.5%

三坐標測試移動品臺:

2、X軸Y軸*小位移量:0.125MM

四探針測試電極:

上位機軟件測量成像系統

2、 測量點數:可以設定

4、 2D成像:測試完成后,可以立體成像

 

 

 

式中;U—試驗電壓,P——生產線產品按系統高運行電壓換算的爬電比距,L—試品的爬電距離,mm此類產品正常運行時,單位爬電距離所承受的電壓低于20mm/kV產品,若不修改,則試驗施加電壓正好相反,5.3.3由“對于嚴酷環境條件(強烈的陽光照射,頻繁的溫度變化并凝露,由JB/T5895所定義的重污穢或嚴重污穢),-一一像本條所述的試驗。

但其持續時間為5000h,以代替h;—按照附錄c所敘述的一種試驗,它循環施加模擬氣候條件的各種應力并施加高系統電壓。"改為;“對于嚴酷環境條件(強烈的陽光照射,頻繁的溫度變化并凝露,由JB/T5895所定義的重污穢或嚴重污穢),可經用戶和制造廠間協議采用附錄C所述的試驗方法。”在嚴酷環境條件運行的產品,除芯棒材料試驗試品外,設計試驗試品的傘套材料應相同。本項試驗試品可在進行了5.2.2試驗后的絕緣子(也可在正常生產線上的絕緣子)上按如下方法取得;在絕緣子較大傘裙,裁取的膠片表面應沒有或存在較小的劃傷、凸起、凹坑、氣泡、標記、修補痕跡、等缺陷.膠片數量應不少于5片。將膠片修整成長不小于60mm,寬度為40mm?50mm,厚度2mm?6mm的形狀。

修整時應盡可能少地裁削膠片,并且進行厚度修整時只能對其一個傘面(一般為傾斜角較大的一面)切削,將裁好的膠片放置于試樣制備模具中,故置時應保證待試樣長度方向距模腔底邊約5mm?10mm,寬度方向應使試樣放在中間

 

 

 

 

 

半絕緣半導體電阻率測量儀

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