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產品詳細頁
半導體硅片電阻率成像測定儀

半導體硅片電阻率成像測定儀

  • 產品型號:GEST-201
  • 更新時間:2021-05-20
  • 產品介紹:半導體硅片電阻率成像測定儀主要通過四探針法測試單晶硅電阻率,具有自動定位的三坐標自動測量系統,可以自由設置測量點數量,自動測試完成,可以對測試出的數據進行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圓電阻率測試儀器。
  • 在線留言 010-57223838

產品介紹

產品名稱:全自動晶圓成像電阻率測試儀

一、產品概述

儀器采用了*電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩定性好、結構緊湊、易操作等特點。

二、儀器構成:

1、 高精度電阻率測試儀

3、 測試探頭

高精度電阻率測量儀:

1.1電阻率:0.00001~20000Ω.cm (可擴展)

1.3電阻:0.00001~20000Ω.cm;

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度:±0.1% ;

3、恒流源:

3.2電流誤差:±0.5%

三坐標測試移動品臺:

2、X軸Y軸*小位移量:0.125MM

四探針測試電極:

上位機軟件測量成像系統

2、 測量點數:可以設定

4、 2D成像:測試完成后,可以立體成像

 

 

 

 

——按照IEC60405的要求進行降雨和噴鹽霧。——將絕緣子放置距5000W盜弧燈約48cm以內就可達到模擬太陽輻射。注:為了引用方便,各條款號與本標準正文相同。相同設計、材料和工藝情況下,只進行一次。依次在至少800mm長的3只試品上進行。-陡波前沖擊電壓:兩個電極間的距離為500mm;

無擊穿,依次在至少800mm長的6只試品上進行。沒有破壞、沒有完全抽出。2只試品,爬電距離在484mm至693mm之間。電壓:1kV每34.6mm的爬電距離,不超過3次過流中斷,沒有起痕,沒有擊穿,沒有蝕損至芯棒。注:對在惡劣的環境條件下使用的絕緣子,由用戶和制造廠協議可采用兩種供選擇的試驗程序。10只試品,6只試品,無擊穿,無閃絡,5只試樣,依次在絕緣距離不小于800mm的4只試品上進行。注:本項試驗進行與否,以及試驗電壓和接受的干水平,由相關產品標準或供需雙方協議規定。無破壞,無裂紋或裂紋未達到芯棒。陡波前沖擊電壓,兩電極間相隔500mm,正負極性各25次外部閃絡。在下表D.1中綜合給出所有試驗及其次序和試品數量。

表E.1給出了本標準與IEC1992技術性差異及其原因的一覽表。5.1.4.2陡度由“不小于1000kV/橢”修改為'陡度不小于1000kV/Ms但上限不超過5。陡度應該有范圍,以便調整波形;對于整只正常生產的產品的爬電比距大于20mm/kV時,試驗電壓應經供需雙方協議確定

 

 

 

半導體硅片電阻率成像測定儀

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