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產品詳細頁
半導體硅片電阻率成像測試儀

半導體硅片電阻率成像測試儀

  • 產品型號:GEST-201
  • 更新時間:2021-05-20
  • 產品介紹:半導體硅片電阻率成像測試儀主要通過四探針法測試單晶硅電阻率,具有自動定位的三坐標自動測量系統,可以自由設置測量點數量,自動測試完成,可以對測試出的數據進行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圓電阻率測試儀器。
  • 在線留言 010-57223838

產品介紹

產品名稱:全自動晶圓成像電阻率測試儀

一、產品概述

儀器采用了*電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩定性好、結構緊湊、易操作等特點。

二、儀器構成:

1、 高精度電阻率測試儀

3、 測試探頭

高精度電阻率測量儀:

1.1電阻率:0.00001~20000Ω.cm (可擴展)

1.3電阻:0.00001~20000Ω.cm;

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度:±0.1% ;

3、恒流源:

3.2電流誤差:±0.5%

三坐標測試移動品臺:

2、X軸Y軸*小位移量:0.125MM

四探針測試電極:

上位機軟件測量成像系統

2、 測量點數:可以設定

4、 2D成像:測試完成后,可以立體成像

 

 

 

此負荷和相應的溫度應由用戶根據運行條件來確定。EML要超過上面定義的OMLo并假定在此超常規負荷下絕緣子將不會出現*變形。此負荷是指絕緣子在整個壽命期,且是很短時間內(例如1min)可能承受到的高負荷,并高于超常規機械負荷。

注:在絕緣子使用期內,在此負荷下絕緣子不應發生機械上的分離,但允許出現*變形。確定用戶的負荷-時間直線僅需兩個負荷,而且足以檢査第三個負荷點是否落在該直線上或在其下面。這些負荷是用戶根據運行條件確定的,如果用戶知道實際負荷的累計頻度曲線,即可直接采用此曲線。如果確定負荷-時間直線*點的負荷按主管部門規定的基本負荷,加上安全因數進行確定,則該負荷可按其預期時間長度在圖表上標出。很明顯,也可用其他方式繪制此直線。絕緣子機械耐受-時間曲線(圖A.3)定義了一個特定負荷可以施加的時間,而在隨后進行的1min機械負荷試驗時,高于額定機械負荷破壞的概率很高。在短于50年的運行期內,機械耐受-時間曲線均應高于負荷-時間直線。

作為對使用者的指導,通常的做法是在某一溫度或非的氣候條件下使用以下已定義的各機械負荷值間的比值:如MML取為單元值(L0),EML大約可取為0.6,而OML取在0.2和0.33之間。這些比值基于予期約50年壽命期。圖A.3示岀了用戶的負荷-時間直線和由設計試驗和型式試驗驗證過的絕緣子的機械耐受-時間曲線間的比較。m“復合絕緣子低要求的技術依據”。

 

 

 

 

 

 

半導體硅片電阻率成像測試儀

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