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產品詳細頁
非接觸半絕緣SiC電阻率測量儀

非接觸半絕緣SiC電阻率測量儀

  • 產品型號:GEST-201
  • 更新時間:2021-05-20
  • 產品介紹:非接觸半絕緣SiC電阻率測量儀主要通過四探針法測試單晶硅電阻率,具有自動定位的三坐標自動測量系統,可以自由設置測量點數量,自動測試完成,可以對測試出的數據進行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圓電阻率測試儀器。
  • 在線留言 010-57223838

產品介紹

產品名稱:全自動晶圓成像電阻率測試儀

一、產品概述

儀器采用了*電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩定性好、結構緊湊、易操作等特點。

二、儀器構成:

1、 高精度電阻率測試儀

3、 測試探頭

高精度電阻率測量儀:

1.1電阻率:0.00001~20000Ω.cm (可擴展)

1.3電阻:0.00001~20000Ω.cm;

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度:±0.1% ;

3、恒流源:

3.2電流誤差:±0.5%

三坐標測試移動品臺:

2、X軸Y軸*小位移量:0.125MM

四探針測試電極:

上位機軟件測量成像系統

2、 測量點數:可以設定

4、 2D成像:測試完成后,可以立體成像

 

 

 

并且可以證實絕緣子耐受住了制造者給出的額定機械負荷。A.4中給出了根據使用者要求的負荷和保證值(斜率和額定機械負荷)來選擇絕緣子的例子。本試驗的目的是檢查絕緣子強度與時間的對數關系曲線的斜率是否不大于某一規定值。通常,該曲線的斜率沒有規定。但實際上常見的大值在(5%?7%)1min破壞負荷時間對數刻度。為了安全起見,同意規定此強度——時間曲線的斜率不得超過8%芯棒1min破壞負荷時間對數刻度。求得該斜率的簡單辦法是做兩個機械破壞負荷試驗:一個是在1min期間的。

另一個是在96h期間的。但是,要預知能給出平均破壞時間為96h的負荷是很難的。這是因為,對于相同的1min破壞負荷,如果曲線的斜率是6%而不是8%,則按96h試驗8%斜率算岀的這個負荷要維持到平均10個星期。因此,做這一試驗的實際方法是,首先做1min破壞負荷試驗,然后再做96h耐受試驗,從中再估算出96h破壞負荷。注:96h持續時間實際上是根據其位于對數坐標中1min?50年的中間位置并考慮一些試驗室的具體做法而選取的。1min平均破壞負荷(M’Q和該數值分散性的標準偏差(處)二者是必要的,后者用來計算96h耐受值。通常是做3只絕緣子的1min破壞負荷試驗并算出其平均值(Mav)o然后選取一個定值作為其標準偏差。

 

 

 

 

 

非接觸半絕緣SiC電阻率測量儀

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