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碳化硅晶圓電阻率測量儀

碳化硅晶圓電阻率測量儀

  • 產品型號:GEST-201
  • 更新時間:2021-05-21
  • 產品介紹:碳化硅晶圓電阻率測量儀主要通過四探針法測試單晶硅電阻率,具有自動定位的三坐標自動測量系統,可以自由設置測量點數量,自動測試完成,可以對測試出的數據進行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圓電阻率測試儀器。
  • 在線留言 010-57223838

產品介紹

產品名稱:全自動晶圓成像電阻率測試儀

一、產品概述

儀器采用了*電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩定性好、結構緊湊、易操作等特點。

二、儀器構成:

1、 高精度電阻率測試儀

3、 測試探頭

高精度電阻率測量儀:

1.1電阻率:0.00001~20000Ω.cm (可擴展)

1.3電阻:0.00001~20000Ω.cm;

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度:±0.1% ;

3、恒流源:

3.2電流誤差:±0.5%

三坐標測試移動品臺:

2、X軸Y軸*小位移量:0.125MM

四探針測試電極:

上位機軟件測量成像系統

2、 測量點數:可以設定

4、 2D成像:測試完成后,可以立體成像

 

 

 

此拉伸負荷應迅速而平穩從零上升到大約為額定機械負荷SML的75%,然后在30s?90s的時間內逐漸上升到額定機械負荷SML。為從試驗中獲得更多的資料,除非有特殊原因(如試驗機的大拉伸負荷),負荷應當一直上升到破壞負荷,如果符合下列規定,——在額定機械負荷的70%下96h試驗(6.4.2a))和*額定機械負荷下1min耐受試驗(6.4.2c))均無破壞發生(芯棒斷裂或拉脫,或金屬附件破裂);——用6.4.2b)中所述的染色滲透法沒有出現裂紋;——研究6.4.2b)中所述切成兩半的情況能清楚表明開裂沒有達到芯棒。用戶和制造廠協商進行此試驗,協商可接受的大無線電干擾水平。此試驗應根據JB/T3567進行。

必要時,絕緣子應在屏蔽電場的環境中測試。抽樣試驗使用兩種樣本,Ei和秩,此兩種樣本的大小見下表。若被檢驗絕緣子多于10000只,則應將它們分成幾批,每批的數量在2000?10000只。試驗結果應分別對每批作出評定。絕緣子應從該批中隨機地抽取,買方有權抽取。對抽取樣本進行相應的抽樣試驗。—尺寸檢査(Ei+E0);——驗證金屬附件和傘套間界面的滲透性(互)和驗證額定機械負荷的試驗(E。——鍍鋅層試驗(?。?;——陡波前沖擊耐受電壓試驗(EQ。

 

 

 

 

碳化硅晶圓電阻率測量儀

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